3月24日，資本邦了解到，有研半導(dǎo)體硅材料股份公司(下稱“有研硅”)回復(fù)科創(chuàng)板IPO首輪問詢。

圖片來源：上交所官網(wǎng)

在科創(chuàng)板IPO首輪問詢中，上交所主要關(guān)注有研硅控股股東、其他股東、參股公司、產(chǎn)品和市場空間、核心技術(shù)和市場地位、客戶、生產(chǎn)、固定資產(chǎn)和在建工程、毛利率、研發(fā)費用、募投項目等20個問題。

關(guān)于產(chǎn)品和市場空間，上交所要求發(fā)行人：(1)結(jié)合半導(dǎo)體區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品銷售收入、研發(fā)和生產(chǎn)涉及的核心技術(shù)、產(chǎn)品先進性水平等，說明將半導(dǎo)體區(qū)熔硅單晶作為主要產(chǎn)品的合理性;(2)結(jié)合不同尺寸半導(dǎo)體硅拋光片的技術(shù)參數(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域差異等，說明下游市場范圍的重合情況和技術(shù)迭代關(guān)系;12英寸半導(dǎo)體拋光片的研發(fā)進展和產(chǎn)業(yè)化情況，12英寸產(chǎn)品是否代表未來發(fā)展趨勢;(3)下游應(yīng)用市場銷售規(guī)模和客戶出貨量與發(fā)行人6英寸、8英寸半導(dǎo)體拋光片銷售收入變動情況的匹配關(guān)系;(4)刻蝕設(shè)備硅材料領(lǐng)域，公司主要銷售尺寸產(chǎn)品在技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)品迭代趨勢中的具體地位;(5)發(fā)行人主要產(chǎn)品與國內(nèi)外同類產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標上的對比情況，相關(guān)產(chǎn)品在市場競爭中的優(yōu)劣勢;(6)發(fā)行人對主要產(chǎn)品的未來發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃情況。

有研硅回復(fù)稱，區(qū)熔硅單晶是重要的半導(dǎo)體硅材料。直拉硅單晶在制造過程中多晶會與石英坩堝等物質(zhì)接觸，而這正是單晶內(nèi)金屬沾污及氧的主要來源。但區(qū)熔硅單晶在其制造過程中，硅多晶不會與除惰性保護氣體外的任何物質(zhì)接觸，故區(qū)熔硅單晶具有高純度、高電阻率、低氧含量等優(yōu)點，是制造高壓整流器和晶體管等大功率器件，探測器、傳感器等敏感器件，微波單片集成電路(MMIC)、微電子機械系統(tǒng)(MEMS)等高端微電子器件的核心材料，廣泛應(yīng)用于雷達、微波通訊、測控、導(dǎo)航、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域，對國民經(jīng)濟的發(fā)展和國防建設(shè)具有十分重要的意義。

報告期內(nèi)，發(fā)行人半導(dǎo)體區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品銷售收入分別為1,460.19萬元，928.97萬元，1,785.95萬元，1,395.89萬元，占主營業(yè)務(wù)收入的比例分別為2.13%、1.53%、3.47%和4.12%。報告期內(nèi)半導(dǎo)體區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品銷售收入占主營業(yè)務(wù)的收入比例不高，但國內(nèi)具備半導(dǎo)體區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)能力的企業(yè)為數(shù)不多，除了發(fā)行人外，僅有中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司。

在我國，區(qū)熔產(chǎn)品目前市場需求較小，大部分國際市場份額被日本信越、日本Sumco、德國世創(chuàng)等國外企業(yè)占據(jù)，特別是在代表先進技術(shù)水平的大尺寸區(qū)熔硅單晶領(lǐng)域，目前還主要依賴進口。

有研硅是國內(nèi)最早開展研制區(qū)熔硅單晶的骨干單位之一。從20世紀60年代起，有研硅相繼研制成功并批量生產(chǎn)銷售2-6英寸區(qū)熔硅單晶及硅片等產(chǎn)品。鑒于過去區(qū)熔產(chǎn)品國際國內(nèi)市場規(guī)模小，公司在區(qū)熔產(chǎn)品相關(guān)的固定資產(chǎn)及研發(fā)投入均較低，使得區(qū)熔產(chǎn)品銷售規(guī)模處于較低水平。

近年來，隨著汽車電子、工業(yè)電子、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，對區(qū)熔硅單晶及區(qū)熔硅拋光片的需求有明顯增加趨勢，為了滿足市場需求，公司加大了區(qū)熔產(chǎn)品的研發(fā)投入，并積極開拓市場，截至目前成效明顯。其中，6英寸區(qū)熔中照硅片產(chǎn)品、6英寸氣摻硅片產(chǎn)品于2021年分別通過了西安派瑞功率半導(dǎo)體變流技術(shù)股份有限公司、無錫中微晶圓電子有限公司的認證，開始批量供貨。2021年1-6月，公司半導(dǎo)體區(qū)熔硅單晶收入1,395.89萬元，與2020年全年1,785.95萬元相比已有較大幅度增長。公司預(yù)計未來幾年，區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品銷售收入及利潤有望繼續(xù)上升。

公司在區(qū)熔硅單晶領(lǐng)域擁有多項核心關(guān)鍵技術(shù)，自主研發(fā)的超高純區(qū)熔硅單晶拉制技術(shù)、氣相摻雜區(qū)熔硅單晶拉制技術(shù)及自動放肩技術(shù)等處于國內(nèi)領(lǐng)先水平，且均已應(yīng)用于產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化，對國內(nèi)區(qū)熔硅單晶的量產(chǎn)產(chǎn)生了積極影響。

其中，超高純區(qū)熔硅單晶拉制技術(shù)應(yīng)用，使得區(qū)熔硅單晶產(chǎn)量增長明顯，由2018年的7.8噸提升到2021年的22.1噸;氣相摻雜區(qū)熔硅單晶拉制技術(shù)的應(yīng)用使得氣摻區(qū)熔硅單晶占比大幅提升，由2018年的5.8%提升到2021年的48.1%;自動放肩技術(shù)的研發(fā)成功，使得5英寸及以上區(qū)熔硅單晶的占比由2018年的27%提升到2021年的59%。以上技術(shù)的開發(fā)和應(yīng)用，增強了公司區(qū)熔產(chǎn)品的市場競爭力，拓展了市場渠道，為公司進一步發(fā)展區(qū)熔產(chǎn)品提供了有利支撐。

不同于直拉硅單晶產(chǎn)品，區(qū)熔硅單晶的技術(shù)有其特殊性，全球具備量產(chǎn)能力的企業(yè)只有少數(shù)幾家，包括德國的瓦克、丹麥的TOPSIL等，國內(nèi)亦僅有中環(huán)股份、有研硅等少數(shù)企業(yè)。

區(qū)熔硅單晶制備的核心技術(shù)和難點主要體現(xiàn)在：(1)區(qū)熔硅單晶的生產(chǎn)方式?jīng)Q定了其實現(xiàn)全自動生長難度極大，對工程技術(shù)人員的熟練度有很高的要求;(2)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品主要用于高壓器件，對硅單晶的純度要求有很高的要求，區(qū)熔單晶生產(chǎn)過程中的原料準備、單晶拉制、后道加工等需要嚴格的潔凈管理，全過程沾污管控難度大;(3)區(qū)熔氣相摻雜方式?jīng)Q定了其摻雜濃度控制、摻雜均勻性控制難度更大，區(qū)熔氣摻產(chǎn)品的電阻率要實現(xiàn)較高程度的均勻性相對直拉產(chǎn)品難度大;(4)區(qū)熔單晶拉制過程中的加熱方式?jīng)Q定了其生產(chǎn)大直徑單晶難度極大，目前區(qū)熔國際上最大直徑為8英寸，而直拉方法可以做到18寸以上。

近年來，通過不斷對核心技術(shù)的研發(fā)投入，公司區(qū)熔硅單晶技術(shù)取得明顯進展，已經(jīng)實現(xiàn)6英寸產(chǎn)品品種的全覆蓋，成為國內(nèi)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品的重要供應(yīng)商。與此同時，公司已經(jīng)布局8英寸區(qū)熔硅單晶的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，作為公司未來重要的產(chǎn)業(yè)方向，以滿足下游客戶的需求。公司本次發(fā)行的部分募集資金擬投入到位于北京市順義區(qū)的區(qū)熔硅單晶研發(fā)生產(chǎn)基地，提升區(qū)熔硅單晶技術(shù)能力，不斷滿足下游客戶的需求，公司半導(dǎo)體區(qū)熔硅單晶的銷售規(guī)模將會持續(xù)增加，因此將半導(dǎo)體區(qū)熔硅單晶作為主要產(chǎn)品具有合理性。

發(fā)行人參股公司(山東有研艾斯半導(dǎo)體材料有限公司)關(guān)于12英寸的研發(fā)工作持續(xù)開展，目前已完成28nm集成電路用硅拋光片的研發(fā)，具備1萬片/月的產(chǎn)能的供貨能力。與此同時，產(chǎn)業(yè)化的生產(chǎn)線已開始廠房建設(shè)及設(shè)備采購工作，預(yù)計2023年新工廠可以投入使用。

12英寸硅片經(jīng)歷了技術(shù)突破到市場占有率逐漸上升，再到成為主流的演變過程。自2000年全球第一條12英寸芯片制造生產(chǎn)線建成以來，12英寸半導(dǎo)體硅片市場需求增加，出貨面積不斷上升。2008年，12英寸半導(dǎo)體硅片出貨量首次超過8英寸半導(dǎo)體硅片;2009年，12英寸半導(dǎo)體硅片出貨面積超過其他尺寸半導(dǎo)體硅片出貨面積之和。

2000年至2018年，由于移動通信、計算機等終端市場持續(xù)快速發(fā)展，12英寸半導(dǎo)體硅片市場份額從1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成為半導(dǎo)體硅片市場最主流的產(chǎn)品。2016至2018年，由于人工智能、區(qū)塊鏈、云計算等新興終端市場的蓬勃發(fā)展，12英寸半導(dǎo)體硅片出貨面積年均復(fù)合增長率為8.36%。據(jù)SEMI統(tǒng)計，2020年，12英寸硅片和8英寸硅片市場份額分別為69.15%和23.94%，兩種尺寸硅片合計占比連續(xù)兩年超過90%。

全球集成電路先進制程芯片大部分在12英寸硅片襯底材料上制作，總體而言，12英寸硅片代表未來主流趨勢，但如前文所述，由于投資成本影響等因素，在大功率高電壓芯片產(chǎn)品、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域，8英寸產(chǎn)品具備明顯優(yōu)勢，并且下游對8英寸產(chǎn)品的需求總量仍處于增長態(tài)勢，8英寸產(chǎn)品占比也始終保持在25%以上的比例。在未來相當長的時間內(nèi)8英寸與12英寸硅片將會一直共存。

關(guān)于研發(fā)費用，上交所要求發(fā)行人說明：(1)主要研發(fā)項目整體預(yù)算較高的原因，已實現(xiàn)的研發(fā)成果及未來擬實現(xiàn)研發(fā)目標;各研發(fā)項目的預(yù)算及實際支出情況，是否存在較大差異;RSTechnologies成為實際控制人后新增研發(fā)項目情況;(2)新產(chǎn)品及工藝技術(shù)研發(fā)中心人員的研發(fā)活動與生產(chǎn)活動如何劃分，研發(fā)工時如何進行統(tǒng)計及核算;研發(fā)人員的學(xué)歷、專業(yè)構(gòu)成情況;公司研發(fā)活動的主要實施地點，報告期內(nèi)生產(chǎn)基地搬遷對研發(fā)人員的影響;(3)報告期內(nèi)材料費投入明細，2020年新增研發(fā)項目的具體情況;是否存在將研發(fā)過程產(chǎn)生的硅單晶棒等投入生產(chǎn)活動的情況;研發(fā)活動形成的廢料比較高是否與行業(yè)特征相符;(4)研發(fā)設(shè)備與生產(chǎn)設(shè)備是否能明確區(qū)分，是否存在研發(fā)活動與生產(chǎn)活動共用生產(chǎn)線的情況，相關(guān)設(shè)備工時的分攤情況及相關(guān)內(nèi)控措施;水電費金額較大的原因，與生產(chǎn)活動水電費是否能區(qū)分。

有研硅回復(fù)稱，報告期內(nèi)，發(fā)行人主要開展了“集成電路用硅單晶以及拋光片的研制和開發(fā)”、“集成電路刻蝕設(shè)備精密部件用硅材料的開發(fā)”、“大尺寸區(qū)熔晶體材料的開發(fā)”、“硅材料智能制造系統(tǒng)的開發(fā)與應(yīng)用”和“硅材料標準樣品的研制及標準的建立”5個研發(fā)課題，其中，部分重點縱向科技項目或其他相對獨立的研發(fā)項目作為研發(fā)課題項下的子項目單列。發(fā)行人每年會根據(jù)發(fā)展戰(zhàn)略、行業(yè)變化、市場需求及各研發(fā)課題的進展情況，更新或設(shè)立新的研發(fā)內(nèi)容或單列子項目，其中單列子項目的研發(fā)周期通常為1-2年，部分長周期的研發(fā)項目按照5年進行規(guī)劃。

當前，8英寸硅片技術(shù)不斷延伸并已進入90nm技術(shù)水平，集成電路刻蝕設(shè)備硅材料向滿足7nm及更先進制程發(fā)展，特殊應(yīng)用場景不斷對產(chǎn)品提出新的需求，促使發(fā)行人必須加大研發(fā)投入以保持技術(shù)的先進性，不斷提升企業(yè)的核心競爭力。2020年，發(fā)行人啟動了“大直徑單晶研發(fā)”及“高品質(zhì)8英寸輕摻硅片研發(fā)”單列子項目，兩個項目對技術(shù)延續(xù)要求較高，研發(fā)周期規(guī)劃為5年，由于整體研發(fā)周期長，涉及的研發(fā)領(lǐng)域廣，且為地方科技項目，因此整體預(yù)算較高，總體預(yù)算為2.4億元。

報告期內(nèi)，發(fā)行人共開展了5個研發(fā)課題。報告期內(nèi)，發(fā)行人開展的部分重點縱向科技項目及部分相對獨立的研發(fā)項目作為了上述研發(fā)課題項下的單列子項目。2020年，發(fā)行人啟動了縱向科技項目“大直徑單晶研發(fā)”及“高品質(zhì)8英寸輕摻硅片研發(fā)”，總體預(yù)算合計2.4億元，研發(fā)周期5年，并作為“集成電路用硅單晶以及拋光片的研制和開發(fā)”及“集成電路刻蝕設(shè)備精密部件用硅材料的開發(fā)”課題下的單列子項目。截至2021年6月30日，該兩項單列子項目仍處于項目執(zhí)行階段初期，執(zhí)行時間較短，因此研發(fā)投入比例較低，導(dǎo)致發(fā)行人研發(fā)項目整體預(yù)算的投入比例較低。

扣除該兩項單列子項目的影響后，報告期內(nèi)，發(fā)行人研發(fā)項目整體投入占比約為72.66%，不存在研發(fā)預(yù)算和投入金額差異較大的情況。

RSTechnologies成為實際控制人后，發(fā)行人基于現(xiàn)有核心技術(shù)、結(jié)合公司發(fā)展戰(zhàn)略、行業(yè)變化、市場需求及各研發(fā)課題的進展情況，開展了各項研發(fā)活動，新增研發(fā)項目主要用于提高直拉硅單晶生長、拋光片加工、刻蝕設(shè)備用硅材料加工以及區(qū)熔硅單晶生長的技術(shù)水平。截至2021年6月30日，發(fā)行人共新增研發(fā)預(yù)算34,703.22萬元，實際投入金額為10,923.36萬元。

公司生產(chǎn)基地搬遷前，半導(dǎo)體硅拋光片及刻蝕設(shè)備用硅材料的相關(guān)研發(fā)活動主要在北京市北太平莊生產(chǎn)基地開展，半導(dǎo)體區(qū)熔硅單晶的相關(guān)研發(fā)活動主要在北京市順義區(qū)生產(chǎn)基地實施。2020年底，公司將位于北京市北太平莊生產(chǎn)基地的半導(dǎo)體硅拋光片和刻蝕設(shè)備用硅材料產(chǎn)線搬遷至山東省德州市，因此自2021年起，公司半導(dǎo)體硅拋光片及刻蝕設(shè)備用硅材料的相關(guān)研發(fā)活動主要于山東德州生產(chǎn)基地實施，半導(dǎo)體區(qū)熔硅單晶的相關(guān)研發(fā)活動仍于北京市順義區(qū)生產(chǎn)基地開展。

公司生產(chǎn)基地搬遷未對公司研發(fā)人員穩(wěn)定產(chǎn)生不利影響。公司新研發(fā)生產(chǎn)基地位于山東省德州市高鐵站附近，交通方便、周邊配套設(shè)施及環(huán)境良好;同時，新生產(chǎn)基地在設(shè)計、規(guī)劃、建設(shè)方面，均采取較高標準，廠區(qū)環(huán)境及配套生活設(shè)施齊全，配備更先進的研發(fā)生產(chǎn)設(shè)備，能夠為研發(fā)人員提供良好的生活及工作環(huán)境。因此大部分研發(fā)人員支持公司產(chǎn)業(yè)搬遷，遷至新生產(chǎn)基地從事研發(fā)工作，與公司共同發(fā)展，僅少數(shù)研發(fā)人員離職。同時公司在搬遷前后補充部分研發(fā)人員以擴大研發(fā)隊伍，保證了公司研發(fā)活動的持續(xù)穩(wěn)定進行。

發(fā)行人不存在將研發(fā)過程中產(chǎn)生的硅單晶棒投入生產(chǎn)活動的情況。

報告期內(nèi)，發(fā)行人研發(fā)費用中材料費占研發(fā)費用的比例處于可比公司的合理比例范圍內(nèi)。2020年及2021年1-6月，發(fā)行人研發(fā)費中材料費的占比上升，主要系2020年公司生產(chǎn)基地搬遷至山東德州后，為增強產(chǎn)品競爭力，加大了特色產(chǎn)品及新工藝的研發(fā)力度，因此材料投入占比增加。

雖然發(fā)行人同行業(yè)可比公司未披露研發(fā)產(chǎn)生廢料占研發(fā)領(lǐng)料的比重情況，故無法進行直接對比，但經(jīng)同行業(yè)內(nèi)橫向比較可見，報告期內(nèi)發(fā)行人研發(fā)費用中材料費領(lǐng)用比例與同行業(yè)可比公司基本一致，保持較高水平。因此，綜合考慮行業(yè)內(nèi)高研發(fā)領(lǐng)料的現(xiàn)狀，發(fā)行人研發(fā)過程中形成廢料比例較高具有合理性，高研發(fā)領(lǐng)料符合行業(yè)特征。（陳蒙蒙）